2017年1月1日 星期日

中國大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元

中國大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元(約新台幣7,680億元),在武漢東湖高新區興建全球單一最大3D儲存型快閃記憶體(NAND Flash)廠,為全球記憶體市場投下一顆震撼彈。
半導體設備業透露,紫光集團由旗下長江存儲公司負責推動這項計畫。紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案,等同遼寧號航空母艦出海試航,是中國大陸記憶體產業從零突破的開端,也創下由國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作的新合作模式。
由紫光集團聯合國家集成電路產業基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資,並結合武漢、上海、矽谷及台灣等研發人員,決定以自主研發投入生產3D NAND Flash設計、製造。
由長江存儲主導投資的3D NAND Flash廠,位於武漢東湖高新區的武漢未來科技城,占地高達1,968畝,將建立三座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash廠房,一座總部研發大樓和其他若干配套建築,第一期計畫預定2018年建成啟用投產,2020年全部完工,月產能將達到30萬片,年產值將超過100億美元。將成為全球最大單一NAND晶片製造廠。
至於後續的封測,以南茂為主要封測平台,但力成也積極接洽爭取。
紫光高層並透露,長江存儲將會等到取得國際大廠授權,或自主研發技術達到成熟階段,才會跨足DRAM製造,絕不會竊取他廠的技術或專利投入生產。
紫光集團董事長趙偉國上月30日宣布這項投資案,當天包括:中共工信部副部長劉利華、工信部電子信息司司長刁石京、國家發改委高技術產業司副司長孫偉、國家集成電路產業投資基金公司董事長王占甫等人,與湖北省副省長許克振,武漢市委、常務副市長龍正才、東湖高新區黨工委書記胡立山等重要官員都親自出席,為中國大陸跨足建立自主記憶體技術且是歷年來單筆最大投資案做見證。
業界人士指出,雖然紫光集團強調技術自主研發,但近期已積極對台展開大規模挖角行動,值得有關單位和企業密切注意。

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